Simcenter Micred T3STER

Simcenter Micred T3STER (ausgesprochen als „Tris-ter“) ist ein moderner, nicht destruktiver Tester für transiente Wärme zur thermischen Charakterisierung von gepackten Halbleitergeräten (Dioden, Bipolartransistoren [BJTs], Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren [MOSFETs], Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBTs], Strom-LEDs) und Multi-Die-Geräten, der Komponenten an Ort und Stelle testen kann. Unsere Lösung ist ein proprietäres System aus Software und Hardware und unterstützt die Märkte für Halbleiter, Transportwesen, Unterhaltungselektronik und LED-Anwendungen.

Das Messen der echten transienten thermischen Antwort ist wesentlich effizienter als stationäre Methoden. Messungen erfolgen bis auf ±0,01° C genau mit einer zeitlichen Auflösung bis zu 1 Mikrosekunde und erzielen so akkurate thermische Kennzahlen. Strukturfunktionen verarbeiten die Antworten zu einem Plot, der den thermischen Widerstand und die thermische Kapazität von Paketfeatures entlang des Wärmeflusspfads anzeigt. Fehler in der Struktur, beispielsweise in Die-Befestigungen, lassen sich leicht ermitteln – damit bietet diese Lösung ein ideales Werkzeug zur Erkennung von Vor- und Nachspannungsfehlern in der Zuverlässigkeitsanalyse. Messungen können zur Kalibrierung von Wärmemodellen exportiert werden und belegen die Genauigkeit der thermischen Konstruktion.